CHInano 2020 第十一届中国国际纳米技术产业博览会于2020年10月28~30日在苏州国际博览中心举办。共设有14场论坛和两万平米展区。覆盖MEMS及微纳制造、纳米新材料、传感器元件、第三代半导体、半导体制造设备、纳米技术应用等领域。
经过10年的发展，纳博会汇聚了来自世界各地的产业界领袖，著名学者及政府、企业代表，分享最新科技成果、前沿信息、发展趋势，同时也积极促进产品推广，资本合作和技术交流与对接。
爱发科在纳博会
纳博会的品牌论坛“中国MEMS制造大会”作为国内唯一聚焦MEMS制造领域的产业会议，汇聚国内外MEMS代工厂，获得业内一致好评。
在本次的“第二届中国MEMS制造大会”上株式会社爱发科执行董事邹弘纲先生发表了题为“用于物联网和AR/VR应用的压电材料薄膜加工技术”的视频演讲，爱发科（苏州）技术研究开发有限公司研究员岳磊现场答疑。
爱发科商贸在CHInano 2020 的第二天举办了“ULVAC MEMS Seminar”。
爱发科（苏州）技术研究开发有限公司研究员岳磊做了题为“ULVAC’s Piezo Thin-Film Fabrication Technology for the Realization of IoT/AI Applications”的报告。多位MEMS产业界的企业高层人士参会，交流对产业和压电MEMS技术的看法。
本次的报告对压电MEMS的技术趋势、市场等大背景进行了阐述说明。结合ULVAC的技术特点、相关案例以及不同材料的特点比对，说明了在物联网以及人工智能时代的大环境下，采用了压电薄膜的Piezo-MEMS所具备的先天优势。
针对PZT材料的自身特点，总结了广泛采用的块体陶瓷技术以及新兴的薄膜技术各自的特点和应用领域。最后对ULVAC领先的PZT成套制备解决方案做了详细的技术介绍。
ULVAC在铁电材料领域开发已有二十年以上技术积累，在PZT压电薄膜制造技术已经迭代至5.0时代，拥有世界最优级别的压电性能（e31>15c/m2），介电击穿达到400v以上（@2μm），经时介电击穿tddb达到2*10^13h（@40v 85℃）。
ULVAC的PZT技术不仅具备世界最领先的薄膜特性，其工艺温度考虑到与CMOS集成时的热预算，最低可在430-450℃附近实现PZT结晶。
在量产方面也比竞争技术具备更多优势。其成本相比另一主流技术，降低约28%，薄膜沉积速率可达约4μm/h。
成熟的薄膜制造技术以及配套的靶材供应，刻蚀、去胶等工艺段的设备及技术支持，能够为客户尽可能提供完善，成熟领先的解决方案。
