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    ULVAC推出TSV统包解决方案,提供从Si刻蚀到电镀工序的制造装置和流程
    发布者:admin   来源:   发布日期:2012-01-16   点击次数:  

    ULVAC推出TSV统包解决方案,提供从Si刻蚀到电镀工序的制造装置和流程

        2010年12月4日
        株式会社ULVAC(总公司 神奈川县茅崎市;董事长 诹访秀则)最近推出了「TSV统包解决方案」,特此发布。作为半导体领域的提案之一,「TSV统包解决方案」是矽贯通电极(TSV:Through Silicon Via)工艺的制造装置和制造流程的组合。而矽贯通电极(TSV:Through Silicon Via)工程作为半导体实装领域的新技术而备受关注,并在一部分的规模化生产线上已开始应用。

        【背 景】
        随着半导体的小型化、高性能化、低成本化的进展,在实装技术中将金属bamboo、BGA(Ball Grid Array)、CSP(Chip Size Package)等半导体器件直接在基板上进行安装或加工的方法得到了越来越多的应用。其中,ULVAC销售了大量的焊溅设备、灰化设备等晶片工艺用设备,在国内外都取得了不斐的业绩。近年来推出的TSV(Through Silicon Via;硅贯通电极)作为实装市场的新技术受到评价,实装生产线上也开始正式开发,并在一部分器件(例如CIS:CMOS Image Sensor)中已经开始了生产。TSV在高密度化和小面积化、降低消耗电力、提高高频率运行等方面受到瞩目。而另一方面,TSV技术能否推广被认为是取决于器件的性能提高与生产成本之间的权衡。
        ULVAC凭借实装市场积累的经验,以与实装生产线相适应的价格,开发并提供设备。同时通过与在TSV市场上经验丰富的株式会社ZyCube进行技术合作,打造了可以提供包括生产流程在内的统包解决方案的体制。此次,ULVAC开发的「TSV统包解决方案」具有以下的特点。

        【特 点】
        1.提供从Si蚀刻到电镀工序的统包解决提案
        可以提供在生产TSV(硅贯通电极)工序中使用的所有设备和流程。TSV工序按照①Si蚀刻、②光刻胶(PR)灰化、③SiO2蚀刻、④清洗、⑤SiO2成膜、⑥Si O2蚀刻、⑦清洗、⑧势垒金属层/Cu Seed膜、⑨Cu电镀的顺序进行。
    ? 在本方案中,用于Si和SiO2的干蚀刻设备、PR/用于除去残渣的灰化设备、用于SiO2成膜的PECVD设备、势垒金属层/用于Cu Seed膜的PVD设备,是由本公司制造和销售。清洗装置、Cu电镀装置是由具有技术合作关系的企业生产而本公司负责销售。而且,ULVAC还可以对这些工序的设备操作进行演示。
        2.降低了设备和工艺流程的成本
        ULVAC的「TSV统包解决方案」不仅利用了本公司在实装领域的经验,而且与之前的Si半导体工艺中所使用的生产设备相比,在功能和性能上实现了集中,所以能够降低设备价格。另外,还实现了将工序数减少到最少步骤的工艺最佳化。

       【销售计划】
       此次发布的「TSV统合解决方案」的统合类型是从2010年12月开始销售。统合类型的生产线价格根据不同产品规格而有所不同,预计1条生产线为5~10亿日元。并同时还进行各个设备的分开销售。ULVAC希望能够在2011年收到日本、韩国、台湾、中国等世界上数家客户的订单。
       有关本技术的详细情况,将于2010年12月1日(周三)至3日(周五),在千叶幕张举办的SEMICON JAPAN2010的ULVAC展位(Hall3 3D-701)上进行介绍。

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